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열물성 분석 제품

적외선가열로 · RTA장치

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적외선램프가열장치 RTP-6

최대 6 inch 까지의 램프 어닐링 장치
개별 반도체 공정의 실리사이드형성 및 화합물 반도체의 공정 어닐링이 가능합니다.
■ Low Cost Infrared Lamp Heating System for R&D RTP-6   최대 6 inch 까지의 램프 어닐링 장치 개별 반도체 공정의 실리사이드형성 및 화합물 반도체의 공정 어닐링이 가능합니다.     Lamp annealing up to 6-inch wafers possible at low cost. This system is capable of silicide formation in individual semiconductor processes and process annealing of compound semiconductors. ​ ■ 용도 Si 웨이퍼의 급속 열처리가 가능 High-speed heat treatments of the various wafers for semiconductors.   ■ 특징 Cold wall 구조로 중금속 오염이 없습니다. Free from heavy-metal construction due to cold wall construction.   ■ 사양  모델  RTP-6  온도 범위  실온 ~ 1000 ℃  시료 치수  4 인치 ~ 6 인치 웨이퍼 사이즈  측정 분위기  가스, 가스 flow, 대기  옵션  터보 분자 펌프 / 로터리 펌프 배기 세트  냉각수 순환 장치  파이로미터 제어  SiC 카본 서셉터