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광통신 반도체 제품

KTN결정 Laser Deflecter

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전기광학결정 KTN (KTa1-xNbxO3)

※ 큰 EO 효과 (s11 ~ = 3.0 × 10 -15 m 2 /V 2 ex : δn ~ 0.003)
※ 폭 넓은 이용파장범위
■ 전기광학 결정 탄탈산 니오브산 칼륨 KTN (KTa1-x Nb x O3) The optical crystal with the maximumerectro-opotic(EO) effects among existing materials. High-speed optical control is possibleby making use of the large electro-optic (EO) effect. When applied to optical scanners, itallows movement tracking in a manner that has never been possible withconventional technology.      KTN결정 (30×30×50mm)    KTN결정 TEM이미지 ■개요 KTN결정은 칼륨(K), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb)으로 이루어진 산화물 결정으로 기존 재료 중 최대의 EO(Electro-optic) 효과를 가지고 있습니다. 이 큰 EO효과 (Kerr 효과)을 이용하여, 작고 가동 부분이 없는 광 스캐너 (광편향기)와 가변 초점 렌즈, 그리고 효율적인 위상 변조기 등을 만들 수 있습니다. 당사는 광 스캐너와 가변 초점 렌즈 등 KTN결정을 이용한 광학 장치와 광 스캐너 응용 제품인 OCT광원, 연구용 및 신규 장치 응용을 위한 KTN결정 칩을 판매하고 있습니다. 니오브 무첨가 산화물 렌즈 소재 KT (KTaO3) 결정에 대해서는 제품 리스트를 참조하십시오.   ■ 특징     ※ 큰 EO 효과 (s11 ~ = 3.0 × 10 -15 m 2 /V 2 ex : δn ~ 0.003 * 아래 조건)      * ε r = 17500,400V / mm, 파장 633nm 당사 조사    ※ 폭 넓은 이용파장범위      (EO 효과를 이용할 수 있는 파장 범위는 488nm ~ 3500nm에서 내부 투과율은 거의 100%의 투명한 단결정입니다)   ■ 응용   광 스캐너  200kHz OCT용 파장 스위프광원  가변초점렌즈  광변조기  각종 연구 (칩 장치)   ■ KTN 결정 칩   KTN 결정 칩 (4.0 × 3.2 × 1.0mm 전극 포함)    KTN 결정 칩은 고객의 장치 설계에 따라 크기, 모양 등의 가공이 가능합니다.  또한 TC (상전이 온도), 전극, 반사 방지막 등에 대해서도 상담해주십시오.       KTN 크리스탈 칩 외관도 및 광입사 방향   KTN 결정 칩은 고객의 장치 설계에 따라 크기, 모양 등의 가공이 가능합니다.  또한 TC (상전이 온도), 전극, 반사 방지막 등에 대해서도 상담바랍니다. 아래 크기는 스톡이 있으므로, 구입하기 쉬운 가격으로 제공이 가능합니다.      ■ 제원      크기 (단위 : mm)   연마면  4.0 × 3.2 ×  1.2   4면 경면연마  5.0 ×  5.0 × 1.0   2면 경면연마  10 ×  10 × 0.5   2면 경면연마