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광통신 반도체 제품

KTN결정 Laser Deflecter

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전기광학결정 KTN (KTa1-xNbxO3)

※ 큰 EO 효과 (s11 ~ = 3.0 × 10 -15 m 2 /V 2 ex : δn ~ 0.003)
※ 폭 넓은 이용파장범위

■ 전기광학 결정 탄탈산 니오브산 칼륨 KTN (KTa1-x Nb x O3)

The optical crystal with the maximumerectro-opotic(EO) effects among existing materials.

High-speed optical control is possibleby making use of the large electro-optic (EO) effect.

When applied to optical scanners, itallows movement tracking in a manner that has never been possible withconventional technology.  

 

KTN crystal

 KTN결정 (30×30×50mm)

 

KTN crystal TEM

 KTN결정 TEM이미지

■개요

KTN결정은 칼륨(K), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb)으로 이루어진 산화물 결정으로 기존 재료 중 최대의 EO(Electro-optic) 효과를 가지고 있습니다.

이 큰 EO효과 (Kerr 효과)을 이용하여, 작고 가동 부분이 없는 광 스캐너 (광편향기)와 가변 초점 렌즈, 그리고 효율적인 위상 변조기 등을 만들 수 있습니다.

당사는 광 스캐너와 가변 초점 렌즈 등 KTN결정을 이용한 광학 장치와 광 스캐너 응용 제품인 OCT광원, 연구용 및 신규 장치 응용을 위한 KTN결정 칩을 판매하고 있습니다.

니오브 무첨가 산화물 렌즈 소재 KT (KTaO3) 결정에 대해서는 제품 리스트를 참조하십시오.

 

■ 특징 

   ※ 큰 EO 효과 (s11 ~ = 3.0 × 10 -15 m 2 /V 2 ex : δn ~ 0.003 * 아래 조건)

     * ε r = 17500,400V / mm, 파장 633nm 당사 조사

   ※ 폭 넓은 이용파장범위

     (EO 효과를 이용할 수 있는 파장 범위는 488nm ~ 3500nm에서 내부 투과율은 거의 100%의 투명한 단결정입니다)

 

■ 응용 

 광 스캐너

 200kHz OCT용 파장 스위프광원

 가변초점렌즈

 광변조기

 각종 연구 (칩 장치)

 

■ KTN 결정 칩

KTN crystal chip

  KTN 결정 칩 (4.0 × 3.2 × 1.0mm 전극 포함)

 

 KTN 결정 칩은 고객의 장치 설계에 따라 크기, 모양 등의 가공이 가능합니다. 

또한 TC (상전이 온도), 전극, 반사 방지막 등에 대해서도 상담해주십시오.

 

 

KTN crystal

  KTN 크리스탈 칩 외관도 및 광입사 방향

 

KTN 결정 칩은 고객의 장치 설계에 따라 크기모양 등의 가공이 가능합니다

또한 TC (상전이 온도), 전극반사 방지막 등에 대해서도 상담바랍니다.

아래 크기는 스톡이 있으므로구입하기 쉬운 가격으로 제공이 가능합니다.  

 

 ■ 제원    

 크기 (단위 : mm)

  연마면

 4.0 × 3.2 ×  1.2 

 4 경면연마

 5.0 ×  5.0 × 1.0 

 2 경면연마

 10 ×  10 × 0.5 

 2 경면연마