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금속 반도체용 전기저항측정장치 TER시리즈

금속의 상변화, 시효석출, 재결정 등의 연구
금속합금, 반도체의 전기저항을 직류 Four(4) probe법으로 정밀측정이 가능합니다.

■ Electric Resistance Measurement System for Metals and Semiconductors TER series

 

금속의 상변화, 시효석출, 재결정 등의 연구

금속합금, 반도체의 전기저항을 직류 Four(4) probe법으로 정밀측정이 가능합니다.

 

Metal phase transformations, aging, recrystallization reactions.

Capable of precise measurements of the electric resistance of metal alloys and semiconductors with the DC four-terminal method.

 용도

  • 금속의 상변화, 시효석출, 재결정 등의 연구
  • 무결정 금속의 재결정 분석
  • 형상기억 합금의 연구개발
  • 각종 반도체 재료의 온도 vs 전기 저항 측정
  • Research on metal phase transformation, age hardening, recrystallization.
  • Recrystallization analysis of amorphous metals.
  • Research and development of shape memory alloys.
  • Measurements of the electric resistance of various semiconductor materials at temperatures.

 

 특징

  • 정속승온과정, 정온유지과정에서의 전기저항 측정이 가능합니다.
  • 직류 Four(4) probe법으로 고정도 측정이 가능합니다.
  • 열기전력의 영향을 받지않고 측정합니다.
  • Capable of electric resistance measurements in a constant-rate rising and falling temperature state and in a constant temperature state.
  • Capable of precise measurements with the DC four-terminal method.
  • Measurements unaffected by thermal electromotive forces.

 

 사양

 모델

TER-2000RH

 TER-2000L

 측정물성 측정방식

전기 저항 / 직류 4단자법

 온도 범위

실온 ~ 1200 ℃

 -150 ℃ ~ 200 ℃

 측정 범위

 100Ω ~ 5 × 10 -5 Ω

 시료 치수

 φ10mm × 길이 100mm

 측정 분위기

 불활성 가스 중 대기, 진공 상태 (옵션)

어플리케이션

 냉각수 순환 장치