■ Electric Resistance Measurement System for Metals and Semiconductors TER series
금속의 상변화, 시효석출, 재결정 등의 연구
금속합금, 반도체의 전기저항을 직류 Four(4) probe법으로 정밀측정이 가능합니다.
Metal phase transformations, aging, recrystallization reactions.
Capable of precise measurements of the electric resistance of metal alloys and semiconductors with the DC four-terminal method.
■ 용도
- 금속의 상변화, 시효석출, 재결정 등의 연구
- 무결정 금속의 재결정 분석
- 형상기억 합금의 연구개발
- 각종 반도체 재료의 온도 vs 전기 저항 측정
- Research on metal phase transformation, age hardening, recrystallization.
- Recrystallization analysis of amorphous metals.
- Research and development of shape memory alloys.
- Measurements of the electric resistance of various semiconductor materials at temperatures.
■ 특징
- 정속승온과정, 정온유지과정에서의 전기저항 측정이 가능합니다.
- 직류 Four(4) probe법으로 고정도 측정이 가능합니다.
- 열기전력의 영향을 받지않고 측정합니다.
- Capable of electric resistance measurements in a constant-rate rising and falling temperature state and in a constant temperature state.
- Capable of precise measurements with the DC four-terminal method.
- Measurements unaffected by thermal electromotive forces.
■ 사양
모델 |
TER-2000RH |
TER-2000L |
측정물성 측정방식 |
전기 저항 / 직류 4단자법 |
온도 범위 |
실온 ~ 1200 ℃ |
-150 ℃ ~ 200 ℃ |
측정 범위 |
100Ω ~ 5 × 10 -5 Ω |
시료 치수 |
φ10mm × 길이 100mm |
측정 분위기 |
불활성 가스 중 대기, 진공 상태 (옵션) |
어플리케이션 |
냉각수 순환 장치 |