본문 바로가기 주메뉴 바로가기

제품검색

home > 제품소개 > >

적외선램프가열장치 RTP-6

최대 6 inch 까지의 램프 어닐링 장치
개별 반도체 공정의 실리사이드형성 및 화합물 반도체의 공정 어닐링이 가능합니다.
제품 문의하기 제품 목록

■ Low Cost Infrared Lamp Heating System for R&D RTP-6

 

최대 6 inch 까지의 램프 어닐링 장치

개별 반도체 공정의 실리사이드형성 및 화합물 반도체의 공정 어닐링이 가능합니다.    

Lamp annealing up to 6-inch wafers possible at low cost.

This system is capable of silicide formation in individual semiconductor processes and process annealing of compound semiconductors.

​

■ 용도

  • Si 웨이퍼의 급속 열처리가 가능
  • High-speed heat treatments of the various wafers for semiconductors.

 

■ 특징

  • Cold wall 구조로 중금속 오염이 없습니다.
  • Free from heavy-metal construction due to cold wall construction.

 

■ 사양

 모델

 RTP-6

 온도 범위

 실온 ~ 1000 ℃

 시료 치수

 4 인치 ~ 6 인치 웨이퍼 사이즈

 측정 분위기

 가스, 가스 flow, 대기

 옵션

 터보 분자 펌프 / 로터리 펌프 배기 세트 
 냉각수 순환 장치 
 파이로미터 제어 
 SiC 카본 서셉터